作为这项策略的一部分，据韩媒FNTIMES报导，三星宣布将5年投资约15亿美元于其位于美国德州奥斯汀（Austin）的晶圆制造厂房，欲强化其4纳米制程技术，被视为是三星倾向以此强化其系统LIS芯片业务以及存储器芯片业务，借以预先为未来第四波工业革命时代对各类系统单芯片（SoC）需求成长预做布局准备。
据Wccftech网站等报导，三星盘据全球行动半导体领域龙头地位已有一段时间，自从高通（Qualcomm）Snapdragon 810处理器出现问题而三星拒绝在产品线中采用后，高通便改成为三星的一般客户，从那时起两家业者便开启一段长期、密切且复杂的合作关系，同时也合作生产SoC。
但最新传言指出，高通下一代行动处理器能将转由台积电代工生产，如果属实意味将打破高通与三星的多年紧密合作关系，也导致三星必须加速自有下世代制程与节点的布局。
近期三星已投资购置两台极紫外光（EUV）微影机台，这将有助三星厂房在生产6纳米制程上，速度比其它竞争对手任何厂房都还来得快速。
未来除了藉投资德州奥斯汀厂房达到其预计到了2020年投入4纳米制程技术的目标外，也将有助三星在发展物联网（IoT）及相关新兴科技芯片上站稳发展基础。
三星已推出一个全面的晶圆制程技术产品规划蓝图，目标改善制程技术至更复杂的水平，三星晶圆业务执行副总裁Yoon Jong－shik表示，导入新制程技术将有助更新型态连网装置的问世。
值得注意的是，4月再传出三星可能将推出一款全新MRAM Memory存储器芯片，适合于2018年新推出装置搭载，这将标志著新的技术突破。至于三星这次投资德州奥斯汀厂房与苹果可能采用三星革命性eMRAM芯片是否具有关联性，将值得观察。
除了持续进行先进制程技术投资，三星也加紧努力强化其在全球存储器芯片市场的龙头地位。三星位于韩国京畿道平泽市的全新NAND芯片生产厂房将于6月底开始运转，以满足市场上不断成长的需求及协助缓解当前供货短缺问题。
三星打算在2017年底前将扩大其最新V－NAND芯片生产规模，达到该公司每月NAND生产量5成比重以上。另外，三星也已开始量产专为物联网平台开发的Exynos i T200处理器。
据德州一份在地研究显示，三星在美国芯片生产子公司Samsung Austin Semiconductor于2015年贡献德州中部区域经济达36亿美元，以及为当地创造近1．1万个工作机会以及4．98亿美元年薪规模。自1997年创立以来，三星已投资超过160亿美元在扩张与维护德州奥斯汀厂房上。
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