百方网
  • 北京大学在二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料上获重要进展

    在过去两年多里,北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授课题组和合作者首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。

    [行业热点] 2018-08-24 15:33
  • 关于我们 | 广告服务 | 会员服务 | 隐私申明 | 友情链接 | 联系我们 | 法律顾问 | 网站地图 | 管理制度 (c)2008-2021 BYF All Rights Reserved