2018年11月7-8日，第三届半导体材料器件表征及可靠性研究交流会在上海召开，由泰克公司携手复旦大学，联合南京大学、中科院上海技术物理研究所、中国科学院纳米中心共同举办。
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司今日宣布瑞萨电子公司采用Soitec全耗尽绝缘硅（FD-SOI）晶圆产品线专用版，用于其65nm超低功耗SOTBTM工艺生产。至此，瑞萨新型基于SOTBTM技术的芯片克服了物联网设备的能源限制，并将功耗降低到目前市场现有产品的十分之一，更加适用于超低功率和能量采集应用。
“宽禁带半导体就像一个小孩，还没长好就被拉到市场上去应用。”在11月8日至9日召开的香山科学会议上，中科院院士、中科院半导体所研究员夏建白打的比方引起不少与会专家的共鸣。
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司今日宣布瑞萨电子公司采用Soitec全耗尽绝缘硅（FD-SOI）晶圆产品线专用版，用于其65nm超低功耗SOTBTM工艺生产。至此，瑞萨新型基于SOTBTM技术的芯片克服了物联网设备的能源限制，并将功耗降低到目前市场现有产品的十分之一，更加适用于超低功率和能量采集应用。
近日，中环集团与国开行天津分行签署战略合作协议。此次签约国开行将向中环集团提供总额100亿的授信额度，今后双方将在集成电路、新能源、军民融合领域开展广泛合作，而此次合作也将着重对中环股份功率器件及集成电路用半导体材料产业进行有力支持。
公司发布2018年半年报：上半年实现营业收入2.51亿元(YoY+8.5%)，归母净利润-0.19亿元(YoY-154.1%)，其中Q2营业收入1.39亿元(YoY+14.6%，QoQ+23.0%)，归母净利润-0.35亿元(YoY-308.2%，QoQ-317.7%)，业绩低于预期，主要原因为全资子公司江苏考普乐公司盈利大幅下降，公司对2013年资产重组时形成的商誉计提减值准备5958万元所致。
7月26日讯 今天下午,有研半导体材料有限公司与德州经济技术开发区管委会在济南签署集成电路用大尺寸硅材料规模化基地项目投资合作协议。
SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料，具有重要的应用价值和广阔的应用前景。
近日，国际半导体协会（SEMI）发布了2016～2017年半导体材料市场市占率与成长率数据。2017年全球半导体材料市场成长9．6％，去年全球半导体营收较2016年成长21．6％。 2017年，晶圆制造材料和封装材料市场规模分别为278亿美元和191．1亿美元，2016年，则分别为247亿美元和182亿美元，同比成长12．7％和5．4％。
日前，中欧第三代半导体高峰论坛在广东省深圳市举行，来自中国和欧洲从事碳化硅、氮化镓等第三代半导体技术研究的200多位知名专家学者和产业界人士汇聚一堂，探讨第三代半导体材料的前沿技术和发展趋势。
会员中心
