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  • 中国研发新型存储芯片，性能快了100万倍，耐用性提升156倍

    复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，他们使用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀，是传统二维存储芯片的100万倍，而且性能更长，刷新时间是内存的156倍，也就是说具备更强的耐用性。

    [行业热点] 2018-04-12 09:43
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