致力于打造“中国芯”的长江存储再传好消息。8月7日，长江存储公开发布Xtacking技术。该技术将为三维闪存提供更高的读写性能和更高的存储密度，同时缩短产品研发周期。
从2016年第三季度以来，全球内存条价格大涨，对于不少喜欢攒机的DIY用户来说，内存价格近两年的居高令不少玩家望而却步。而迫于压力，手机制造商、电脑制造商也相应的上调了产品价格几百元不等，消费者购买手机/电脑的成本更多了，纵使再多不满消费者也只能乖乖买单，毕竟我国的智能手机/PC /服务器厂商使用的 DRAM 内存、NAND 闪存几乎都来自进口。
今年下半年，随着长江存储、福建晋华、合肥长鑫国内三大存储厂商相继进入试产阶段，中国存储产业将迎来发展的关键阶段。业界认为，国内存储产业发展初期虽难大举撼动全球版图，但或将对全球存储市场价格走势造成影响。
为了应付新一轮的超算计划，英特尔与美光共同投资研发了非易失性存储器，并在美国犹他州设立了IMFT工厂共同生产。但美光与英特尔部分业务重叠终究不会让两家关系维持到天荒地老，在联盟设立之初，两家公司就已经限定了合作期限。
据统计，2017年NAND和DRAM销售总额高达1320亿美元，比2016年的800亿美元增长了65%。销售额暴涨的重要原因之一，就是NAND和DRAM价格疯涨。其中幕后的黑手就是三星，毕竟三星在存储芯片市场的份额非常高，只要联合同为韩国企业的SK海力士，就可以轻易操纵市场。
谈及中国VC对芯片的冷淡，业内似乎更多把部分原因归咎于回报太低——“我们曾经投过一个项目，在价格最高的时候，生产的芯片一颗是294元，后来一直跌到24元，然后跌到12元，现在是1美元多，利润可想而知”。在不久前投资界主办的一场沙龙上，光量资本创始合伙人朱晴如此感慨。
继6月初中国反垄断机构对美光三星海力士三家企业位于北上深三地办公室进行突袭调查后，据集微网记者了解，本周三，国家市场监督管理总局又对台湾集邦咨询（TrendForce）旗下的半导体分析机构DRAMeXchange深圳办公室进行了突击调查。
具体来说，LPDDR5的速度将达到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X（4266Mbps）提升50%。按照IC厂商Synopsys透露的，LPDDR5将引入WCK差分时钟，类似于GDDR5，从而在不增加引脚的情况下提升频率。
6月19日报道，市场传出存储器龙头韩国三星电子暂缓DRAM扩产消息。据业界消息，三星因为制程转进1y纳米后无法有效降低单位生产成本，原本第三季于韩国平泽厂(Pyeongtaek)东翼大楼(east wing)2楼扩增每月3万片DRAM产能的计划已暂缓。法人预期下半年进入旺季后，DRAM价格持续看涨到年底。
Si负极材料是锂离子电池中，理论储锂能量较高的锂离子负极材料之一，其理论容量可达到4000 mAh g－1以上。但是，Si负极材料储锂时，容易发生体积膨胀，导致电极粉化，电池容量急剧下降。目前，对于减少Si负极的体积膨胀对电极材料的影响，提高Si负极复合材料中的空隙体积，缓解容量急剧降低，提高Si负极电池的循环寿命等问题，是该领域亟待解决的重大问题。
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