SiC材料打造的功率半导体近来在半导体圈内风头正劲，由于独特晶体结构, 使其禁带宽度达到2.2eV，远高于GaAs和Si，SiC打造的器件对于后两者的替代趋势日益明显。
电源模块发展至今，工程师们都着眼于如何将模块做得更为小型化，轻量化，其实大家都明白可以通过提升开关频率来提高产品的功率密度。但为什么迄今为止模块的体积没有变化太大？是什么限制了开关频率的提升呢？
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