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  • 不更改驱动电路,SiC器件也能直接替换IGBT、硅器件?

    SiC材料打造的功率半导体近来在半导体圈内风头正劲,由于独特晶体结构, 使其禁带宽度达到2.2eV,远高于GaAs和Si,SiC打造的器件对于后两者的替代趋势日益明显。

    [市场分析] 2018-12-20 15:30

    EMI及PCB设计与开关频率详解

    电源模块发展至今,工程师们都着眼于如何将模块做得更为小型化,轻量化,其实大家都明白可以通过提升开关频率来提高产品的功率密度。但为什么迄今为止模块的体积没有变化太大?是什么限制了开关频率的提升呢?

    [技术专利] 2018-05-21 10:58
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