我们可以想象一下：当你驾驶着电动汽车行驶在马路上，电动车充电设备的充电效率可以达到你目前所用充电效率的两倍；仅有一半大小的电机驱动比目前应用的效率更高；笔记本电脑电源适配器小到可以放进口袋。
4月16日电 材料是当前世界新技术革命的三大支柱(材料、信息、能源)之一，以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽带化合物为代表的第三代半导体材料已引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，并被列入国家科技创新2030“重点新材料研发及应用” 重大项目重要内容之一。
与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70％的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓（GaN－on－SiC）替代技术。
半导体行业沉积设备供应商AIXTRON爱思强股份有限公司今日宣布，其多个AIXG5 C行星式系统中的首个已获欧司朗光电半导体验证合格，用于生产氮化镓LED。由于光电子半导体在照明、传感和可视化行业（包括汽车、通讯、显示屏、健康和食品等行业）中的应用持续增多，市场对优质光电子半导体的需求也日益增加，欧司朗光电半导体正逐步扩大其位于雷根斯堡工厂的产能。正因如此，该公司使用AIXTRON爱思强的AIX G5 C行星式平台。
随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然在成本上仍比传统硅组件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指针，也是硅组件难以望其项背的。 这些新一代组件的商品化，为电力电子产业打开了全新的应用可能性。
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