与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70％的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓（GaN－on－SiC）替代技术。
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