由于能量障碍约束，大多数有机薄膜半导体仅有约10nm的短激子扩散长度。相反，已知纯化单晶中单重态激子的扩散范围要大得多（高达220nm）。然而，在这些情况下，这些材料的尺寸通常是多分散的并且加入器件中有一定的问题。因此器件开发依赖于开发均匀的纳米结构的能力，所述纳米结构适合于处理并且能够支持远程激子扩散。
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