联华电子宣布推出40奈米SST嵌入式快闪记忆体製程

　联华电子今( 21日)宣布，该公司推出40奈米结合Silicon Storage Technology(SST)嵌入式SuperFlash®非挥发性记忆体的製程平台。新推出的40nm奈米SST嵌入式快闪记忆，较量产的55奈米单元尺寸减少20%以上，并使整体记忆体面积缩小了20-30%。东芝电子元件&存储产品公司已开始评估其微处理器(MCU)晶片于联华电子40奈米SST技术平台的适用性。