SiC材料打造的功率半导体近来在半导体圈内风头正劲，由于独特晶体结构, 使其禁带宽度达到2.2eV，远高于GaAs和Si，SiC打造的器件对于后两者的替代趋势日益明显。
LED驱动电路拓扑有升压变换器或电荷泵两种电路拓扑可供选择，选择的重点是考虑两种解决方案所有具体因素。基于电荷泵的白光LED驱动电路一个重要的参数是LED驱动器产生的噪声，因为电容器要进行充放电，所以电荷泵是大电流毛刺的来源。如欲减少这种影响，则必须设置高性能的输入滤波电路。基于电感式升压变换器的白光LED驱动器，由于存在电感，会引起电磁干扰（EMI）。通常情况下，改变开关频率可减少干扰，但是频率值取决于变换器的工作条件。
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
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