SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料，具有重要的应用价值和广阔的应用前景。
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