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  • 不更改驱动电路，SiC器件也能直接替换IGBT、硅器件？

    SiC材料打造的功率半导体近来在半导体圈内风头正劲，由于独特晶体结构, 使其禁带宽度达到2.2eV，远高于GaAs和Si，SiC打造的器件对于后两者的替代趋势日益明显。

    [市场分析] 2018-12-20 15:30
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