半导体技术蓬勃发展，即将面临积体电路微缩化的三奈米制程极限，因此科学家除改善积体电路中电晶体的基本架构外，亦积极寻找具有优异物理特性且能微缩至原子尺度（<1 奈米）的电晶体材料。
近期，半导体界掀起了一阵小小的光刻潮，原因就是浸润式光刻技术的开创者林本坚博士获得了2018年未来科学大奖-数学与计算机科学奖，并于近日进行了多次主题演讲，使半导体光刻这项高端而又略显神秘的技术形象地展示在了业界人士面前，也使得越来越多的人对它产生了兴趣，希望能够进一步了解和研讨。
近日，全球领先的半导体供应商意法半导体（下称ST）公布了第三季度财报，ST第三季度实现净营收25.2亿美元，毛利率39.8%，营业利润率15.8%，净利润3.69亿美元，每股摊薄收益0.41美元。
2018年11月7-8日，第三届半导体材料器件表征及可靠性研究交流会在上海召开，由泰克公司携手复旦大学，联合南京大学、中科院上海技术物理研究所、中国科学院纳米中心共同举办。
2018年11月16日，中国广州，国内领先的可编程逻辑器件供应商广东高云半导体科技股份有限公司（如下简称：高云半导体），近日参展2018年德国慕尼黑电子展，与其欧洲经销商Eldis公司共同向欧洲市场展示了高云半导体最新的FPGA技术与产品。
11月16日，浙江省市场监督管理局官网发布2018年浙江省半导体器件产品监督抽查结果。近期，根据《中华人民共和国产品质量法》、《浙江省产品质量监督条例》的规定，原浙江省质量技术监督局组织开展了全省半导体器件监督抽查，抽查了绍兴、宁波、台州等3个地区17家企业的17批次半导体器件产品，不合格2批次，批次不合格率为11．76％。
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司今日宣布瑞萨电子公司采用Soitec全耗尽绝缘硅（FD-SOI）晶圆产品线专用版，用于其65nm超低功耗SOTBTM工艺生产。至此，瑞萨新型基于SOTBTM技术的芯片克服了物联网设备的能源限制，并将功耗降低到目前市场现有产品的十分之一，更加适用于超低功率和能量采集应用。
“宽禁带半导体就像一个小孩，还没长好就被拉到市场上去应用。”在11月8日至9日召开的香山科学会议上，中科院院士、中科院半导体所研究员夏建白打的比方引起不少与会专家的共鸣。
在IC Insights发布的最新全球15大半导体厂商排名当中，就连产业大鳄台积电都被挤出了前三，后来居上的正是存储器巨头SK海力士，而在排名前五的厂商当中，三家存储巨头都在列（三星、SK海力士和美光），另外两家存储器的大牌企业东芝TMC和西部数据，也因为存储器的良好市况以及靓丽的财务数据，稳稳地保持在前15名当中。
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司今日宣布瑞萨电子公司采用Soitec全耗尽绝缘硅（FD-SOI）晶圆产品线专用版，用于其65nm超低功耗SOTBTM工艺生产。至此，瑞萨新型基于SOTBTM技术的芯片克服了物联网设备的能源限制，并将功耗降低到目前市场现有产品的十分之一，更加适用于超低功率和能量采集应用。
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